一、晶圓處理制程  

　　晶圓處理制程之主要工作為在硅晶圓上制作電路與電子組件（如晶體管、電容體、邏輯閘等），為上述各制程中所需技術(shù)最復(fù)雜且資金投入最多的過(guò)程 ，以微處理器（Microprocessor）為例，其所需處理步驟可達(dá)數(shù)百道，而其所需加工機(jī)臺(tái)先進(jìn)且昂貴，動(dòng)輒數(shù)千萬(wàn)一臺(tái)，其所需制造環(huán)境為為一溫度、濕度與 含塵量（Particle）均需控制的無(wú)塵室（Clean-Room），雖然詳細(xì)的處理程序是隨著產(chǎn)品種類(lèi)與所使用的技術(shù)有關(guān)；不過(guò)其基本處理步驟通常是晶圓先經(jīng)過(guò)適 當(dāng)?shù)那逑矗–leaning）之后，接著進(jìn)行氧化（Oxidation）及沈積，最后進(jìn)行微影、蝕刻及離子植入等反復(fù)步驟，以完成晶圓上電路的加工與制作。  

二、晶圓針測(cè)制程  

　　經(jīng)過(guò)Wafer Fab之制程后，晶圓上即形成一格格的小格 ，我們稱(chēng)之為晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圓上皆制作相同的芯片，但是也有可能在同一片晶圓上制作不同規(guī)格的產(chǎn)品；這些晶圓必須通過(guò)芯片允收測(cè)試，晶粒將會(huì)一一經(jīng)過(guò)針測(cè)（Probe）儀器以測(cè)試其電氣特性， 而不合格的的晶粒將會(huì)被標(biāo)上記號(hào)（Ink Dot），此程序即 稱(chēng)之為晶圓針測(cè)制程（Wafer Probe）。然后晶圓將依晶粒為單位分割成一粒粒獨(dú)立的晶粒，接著晶粒將依其電氣特性分類(lèi)（Sort）并分入不同的倉(cāng)（Die Bank），而不合格的晶粒將于下一個(gè)制程中丟棄。

三、IC構(gòu)裝制程  

　　IC構(gòu)裝制程（Packaging）則是利用塑料或陶瓷包裝晶粒與配線以成集成電路（Integrated Circuit；簡(jiǎn)稱(chēng)IC），此制程的目的是為了制造出所生產(chǎn)的電路的保護(hù)層，避免電路受到機(jī)械性刮傷或是高溫破壞。最后整個(gè)集成電路的周?chē)鷷?huì)向外拉出腳架（Pin），稱(chēng)之為打線，作為與外界電路板連接之用。  

四、測(cè)試制程  

　　半導(dǎo)體制造最后一個(gè)制程為測(cè)試，測(cè)試制程可分成初步測(cè)試與最終測(cè)試，其主要目的除了為保證顧客所要的貨無(wú)缺點(diǎn)外，也將依規(guī)格劃分IC的等級(jí)。在初步測(cè)試階段，包裝后的晶粒將會(huì)被置于各種環(huán)境下測(cè)試其電氣特性，例如消耗功率、速度、電壓容忍度...等。測(cè)試后的IC將會(huì)將會(huì)依其電氣特性劃分等級(jí)而置入不同的Bin中（此過(guò)程稱(chēng)之為Bin Splits），最后因應(yīng)顧客之需求規(guī)格，于相對(duì)應(yīng)的Bin中取出部份IC做特殊的測(cè)試及燒機(jī)（Burn-In），此即為最終測(cè)試。最終測(cè)試的成品將被貼上規(guī)格卷標(biāo)（Brand）并加以包裝而后交與顧客。未通過(guò)的測(cè)試的產(chǎn)品將被降級(jí)（Downgrading）或丟棄。